追踪！国内最新一批半导体产业项目启动

近期，国内又一批半导体产业项目迎来新希望，项目涵盖半导体材料、半导体设备、半导体封测等范畴，涉及企业包括长飞先进半导体、国博电子、长飞光学、甬矽电子、芯阳微电子、华实半导体、安瑞森等。

南通伟腾半导体专用材料项目开工
9月16日，南通伟腾半导体专用材料项目开工仪式举行。本次开工的半导体专用材料项目，计划总投资2.4亿元，新建厂房及附属用房3.4万平方米。项目预计2026年全面达产，年产出晶圆级划片刀120万片，实现约2.5亿元的销售额。
据悉，南通伟腾专注于为各类IC晶圆、光学器件、各类传感器等精密切割工序提供配套产品和服务，公司研发生产的DZY型划片刀可做到15微米以内的超薄厚度。


武汉多个半导体相关项目开工
据中国光谷消息，9月14日，2023年三季度武汉市重大项目集中开工活动举行，多个半导体项目涉及在内。
其中，长飞光学与半导体石英元器件研发与产业化项目主要建设高端光学与集成电路制造用石英材料研发基地，实现光学与半导体石英材料国产化替代。
高德微机电与传感工业技能研究院西区(一期）项目将建设微机电系统设计、工艺、集成的开放性研发平台。
联特科技光电集成中心项目建设光电集成设备制造和科技平台、先进光电集成实行室及相关配套设施。
鑫威源大功率蓝光半导体激光器产业化项位于江夏经济开发区，总投资10亿元，预计2024年12月竣工。厂区建筑面积12000平方米，主要建设一条基于2英寸半导体化合物（GaN）技能的大功率蓝光半导体激光器生产线，年产大功率蓝光半导体激光器3600万套。


安瑞森超大规模高纯电子化学品、电子气体及工业气体岛项目签约
据淮安工业园区消息，9月14日，由江苏安瑞森电子材料有限公司（以下简称“安瑞森”）投资的超大规模高纯电子化学品、电子气体及工业气体岛项目在园区签约。
消息显示，该项目将在园区建设12种国内技能领先的电子化学品、电子工业气体和电子特气生产线，一期项目建成后总产能约55万吨/年，年产值达15亿元。项目建成后将成为环球最高品级的电子化学品和电子特气综合类工厂，可为华东地区的半导体、面板、光伏、智能制造提供一揽子整体产品解决方案。
安瑞森成立于2010年，是一家高纯电子化学品和电子气体产品供应商，在国内外拥有9个生产基地。公司专注于为集成电路、平板显示器、光伏、LED、化工、钢铁等行业，提供高质量尺度的高纯电子化学品、高纯电子特气、现场制气、气液系统工程及TGM全面气体和化学品供应的集成一体化管理解决方案。


华实半导体新材料研发及测试生产基地项目预计10月封顶
据长沙发改9月12日消息，华实半导体新材料研发及测试生产基地项目一期于2023年4月启动建设，目前已全面进入主体施工阶段，部分设备已订购，预计10月完成主体封顶并启动设备进场安装。
该项目位于浏阳经开区，总用地面积约155亩，总建筑面积约16万平方米。项目一期投资15亿，用地76.6亩，建筑面积约8万平米，新建2栋生产厂房、1栋测试楼、1栋食堂，建设半导体新材料研发及测试生产线。项目二期建设8栋生产厂房、1栋食堂及倒班宿舍。项目总投资25亿元，预计于2024年竣工。
据公开资料显示，华实半导体于2020年5月成立，经营范围包括半导体器件专用设备、半导体分立器件、耐火陶瓷制品及其他耐火材料的制造；半导体光电器件制造；智能装备制造；单晶材料、单晶抛光片及相关半导体材料和超纯元素的生产；碳化硅衬底相关半导体材料的生产等。


国博电子射频集成产业化项目开工
据南京市江宁区人民政府消息，9月10日，国博电子射频集成产业化（二期）项目在南京江宁开发区开工建设。
国博电子射频集成产业化项目占地面积约203亩，新建厂房及附属设施，新增设备五百余台套。项目分两期建设，其中一期用地面积约103亩，建筑面积约15.1万平方米，目前已建成投产；二期用地面积约100亩，建筑面积约7.6万平方米（本次开工建设）。
射频集成产业化（二期）项目主要包括厂房、食堂和倒班宿舍等，重点补充射频集成电路封测制造能力，同时加强园区后勤配套保障能力，建成后与一期形成射频集成电路规模化设计、制造能力，努力打造成为宽禁带半导体器件及模块国内最大供应商、5G通信技能国内发展主要引领者。


成都万应先进封测中试平台及生产线项目竣工通线
据成都高新区电子信息产业局消息，9月8日，成都万应先进封测中试平台及生产线项目竣工通线。
该项目以高端解决方案和先进封装工艺为焦点，建设高可靠性塑封、高可靠性陶瓷封装和系统级封装三条产线，建设可靠性与失效分析实行室，形成封装方案设计、仿真、打样、量产和可靠性与失效分析全产业链服务模式，具备高可靠塑封、高端陶瓷封装、系统级封装和TSV、RDL等先进封装技能，能够完成以线焊、倒装焊为基础的先进封装。
资料指出，成都万应微电子有限公司成立于2021年，是成都高新区“岷山行动”首批重点引进的微电子先进封测企业，并在政府支持下，成立“岷山微电子先进封测技能研究院”。公司重点聚焦射频SiP、散热器、高可靠塑封等先进封装范畴，为高端集成电路设计企业、高校和科研院所等提供封装服务。


两泰半导体项目签约落户南通
南通市北高新消息，9月8日，半导体晶圆载具制造项目签约仪式、菲莱半导体测试设备制造项目签约仪式在南通市北高新区举行。
半导体晶圆载具制造项目总投资6.5亿元，用地约42亩，总建筑面积超5万平方米，将从事晶圆载具、IC托盘、IC载带的研发、生产和销售。
菲莱半导体测试设备制造项目总投资2亿元，拟租用中南车创1万平方米厂房，将从事碳化硅晶圆老化和测试设备等产品的研发、生产和销售。


甬矽电子集成电路IC芯片封测项目二期落成
据甬矽电子官微消息，9月7日，甬矽电子（宁波）股份有限公司集成电路IC芯片封测项目二期落成大典在宁波余姚隆重举行。
据悉，甬矽二期项目总占地500亩，一阶段完成建设300亩，总投资111亿，满产将达到年产130亿颗芯片。二期产品线会和一期相辅相成，既有成熟封装QFN产品线，广泛用于汽车电子与工规产品的QFP产品线，应用于网络服务器、CPU处置惩罚器、AI智能产品上的大颗FCBGA产品线，还有代表先进封装发展方向的Bumping、WLCSP、Fan-In/Out产品线等。


国家三代半技能创新中心（南京）一期项目竣工投产
9月6日，由南京市人民政府、中国电子科技集团有限公司指导、国家第三代半导体技能创新中心主办的第三代半导体产业创新发展大会在江宁开发区举行。
会上，多个超百亿元产业项目签约，国家第三代半导体技能创新中心（南京）集中发布重大科技攻关成果，同时宣布一期项目竣工投产。
当前，国家第三代半导体技能创新中心（南京）一期项目已经竣工投产，随着一期项目投运，二期项目的建设也排上日程，媒体报道二期项目将于2024年开建，规划年产20万片8英寸圆片。


厦门芯阳微电子研发及智能制造项目开工
9月6日，第二十三届投洽会厦门市重大项目厦门集中开竣工活动同安分会场暨芯阳微电子研发及智能制造项目开工活动举行。此次开工仪式的成功举行，标志着芯阳微电子研发及智能制造项目正式进入施工建设阶段。
据介绍，依托厦门同翔高新城的门户枢纽优势及高端定位，本项目总用地面积3.7万平方米，总建筑面积11万平方米。拟建设2栋综合厂房、1栋办公楼、1栋宿舍楼及12条半自动化生产线，同时引进先进的AOI、SMT贴片机、插件机、波峰焊等自动化设备。项目整体投入使用并达到稳定运营后，预计新增生产能力5.7亿套微电子控制器。建成达产后可实现年产值约12亿元。
芯阳微电子的集成电路产品涵盖小家电专用控制芯片、电池充电控制芯片、电源管理类芯片、LED驱动芯片、消防产品专用控制芯片等。


中科艾尔二期项目开工
据“中科艾尔科技有限公司AR”消息，9月4日，沧州市举行2023年第三季度重点项目推进会，渤海新区、黄骅市分会场设在港城产业园区中科艾尔（沧州）精密制造有限公司项目现场。
目前，中科艾尔二期项目开工建设，新项目占地13.3万平米,建筑面积约12万平米，建设内容为年产500万件的超洁净气路系统关键零部件生产线、年产1000万米的超洁净管件生产线、年产7万个半导体级源瓶以及16万个半导体级瓶阀的超洁净存储集成生产线。
消息称，该项目建成后，将成为国内唯一的产研一体、链条闭环的集成电路气路系统焦点零部件研发生产基地，强力支撑国内芯片生产的自主可控、国产替代战略。


国家三代半技能创新中心（苏州）总部开工
据苏州纳米城消息，9月2日，苏州工业园区在桑田科学岛举办国家生物药技能创新中心、国家第三代半导体技能创新中心（苏州）总部大楼开工仪式。
国家第三代半导体技能创新中心（苏州）（以下简称“国创中心”）作为两中心之一，总部位于整个桑田科学岛的焦点区域，将致力于打造焦点产业展示区，未来创新中心示范标杆。
据了解，国创中心于2021年3月由科技部批复建设，由苏州第三代半导体技能国创中心（事业单位）抓总统筹，江苏第三代半导体研究院主体承建，苏州纳米科技发展有限公司保障载体建设开发。截至目前，该中心已承担上级研发项目10项，完成4款电路芯片设计，在氮化镓单晶、氮化镓外延片等方面取得重要突破，部分指标国际领先，累计申请专利260多件。


路芯半导体掩膜版研发及产业化基地签约
据“苏州发布”消息，9月2日，苏州市委市政府召开推进大会。会上，路芯半导体掩膜版研发及产业化基地签约落地苏州工业园区。
据了解，该项目预计总投资人民币20亿元，项目公司将依托路维光电在掩膜版范畴的技能基础，深耕半导体掩膜版范畴，建设130nm-28nm制程节点的半导体掩膜版产线。
公开资料显示，江苏路芯半导体技能有限公司是一家半导体掩膜版研发生产商，主要从事半导体掩膜版等相关半导体器件的研发生产业务。建设有130nm-28nm制程节点的半导体掩膜版产线。


长飞先进半导体武汉基地开工
据中国光谷消息显示，9月1日，长飞先进半导体武汉基地开工。
长飞先进半导体项目位于光谷科学岛，项目总投资预计超过200亿元。其中，项目一期总投资100亿元，可年产36万片SiC MOSFET晶圆，包括外延、器件设计、晶圆制造、封装等。一期项目预计2025年建设完成，届时将成为国内最大的SiC功率半导体制造基地，产能规模将居行业领先地位。
根据资料，安徽长飞先进半导体有限公司专注于碳化硅（SiC）功率半导体产品研发及制造，具备从外延生长、器件设计、晶圆制造到模块封测的全流程生产能力和技能研发能力。


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