长飞先辈半导体武汉基地开工，投资超200亿，一期预计2025年建成
9月1日，长飞先辈半导体武汉基地开工仪式在武汉新城举行。https://p3-sign.toutiaoimg.com/tos-cn-i-tjoges91tu/3151f290f828a81aa5b9ff267a12bb81~tplv-tt-large-asy1:5aS05p2hQOatpuaxieWktOadoQ==.image?x-expires=2009076901&x-signature=OfxTjHsiiU8vu%2FLjE%2Fl5yJGPtKo%3D项目位于光谷科学岛，项目总投资预计凌驾200亿元。其中，项目一期总投资100亿元，可年产36万片SiC MOSFET晶圆，包括外延、器件设计、晶圆制造、封装等。
一期项目预计2025年建立完成，届时将成为国内最大的SiC功率半导体制造基地，产能规模将居行业领先地位。
https://p3-sign.toutiaoimg.com/tos-cn-i-tjoges91tu/26a4cb856ee3d665a2560dee0322a1da~tplv-tt-large-asy1:5aS05p2hQOatpuaxieWktOadoQ==.image?x-expires=2009076901&x-signature=XH9Ki2VRCj9Hbc5LCDS4fmaZA%2Bk%3D在碳化硅行业，“产能为王”一直是重要关键词，尤其是随着800V新能源汽车的推出，2025年，碳化硅市场将迎来全面爆发。为此，该公司自2022年起，就开始前瞻性规划武汉基地建立，此后一路加快步伐，并正式开工。
https://p3-sign.toutiaoimg.com/tos-cn-i-tjoges91tu/c60131c371154c2148f49170224de883~tplv-tt-large-asy1:5aS05p2hQOatpuaxieWktOadoQ==.image?x-expires=2009076901&x-signature=EOODQQLYSQUjMPDWLjiPFjzlNMw%3D“半导体行业门槛非常高，但越高也就代表着硬实力越重要。如今，长飞先辈人才、资金、厂房均已就位，接下来将埋头苦干，把产品做好，相信几年之后一定会是一番新天地。”长飞先辈总裁陈重国表示。
https://p3-sign.toutiaoimg.com/tos-cn-i-tjoges91tu/ccf3ee65e00018d4844d748649d1e45c~tplv-tt-large-asy1:5aS05p2hQOatpuaxieWktOadoQ==.image?x-expires=2009076901&x-signature=3uNCecy4sKKVA%2FElzJaFTXZSMCs%3D据介绍，以此次武汉基地开工仪式为契机，长飞先辈将不断加快碳化硅产业建立步伐，加强关键核心技术攻关和创新突破，朝着“世界领先的宽禁带半导体”公司加快前进。
【来源：中国光谷】
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